amorphoussilicon相关论文
In the study, TiO2 was loaded on the surface of amorphous silicon (AS) by hydrolysis precipitation method,and Cu2+, as a......
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Bending the cost curve: leveraging aging TFT manufacturing facilities to achieve a $1000 digital X-r
Cost, quality and accessibility are major barriers to disease detection in low-income countries. For example, diagnosti......
Advanced PECVD for High Performance TFT Qunhua Wang, Young Jin Choi, Beom Soo Park, Dong Kil Yim, La
Displays in mobile phones, tablets and TVs are moving into higher mobility TFT for better performance. LTPS (low-tempera......
介绍用非晶硅微型辐射热量计制成的160×120元非致冷红外焦平面阵列的特点和性能，该阵列集成在一个无铅芯片载体封装中，像素间距为25......
我们利用Ar 激光辐照a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料,使a-Si:H阱层晶化。在该样品中成功地观察到室温可见光致发光现象,研究了阱......
用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子......
本文报道了CO2激光化学气相沉积非晶硅的实验研究。实验结果表明,非晶硅的沉积速率与气室气压和基片温度密切相关。用各种手段测试......
本文用两种波长不同的激光——Ar 激光和CO2激光,对以石英为衬底的a-Si SOI进行了激光结晶。两者的结晶机理不同,得到了不同的结晶......
用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子......
Reactive sputtered boron-doped zinc oxide (BZO) film was deposited from argon,hydrogen and boron gas mixture.The reactiv......
报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系.......
给出了Ｍ／ａ－Ｓｉ：Ｈ／ＳｎＯ２结构的平衡态能带图，用光电压法和Ｃ－Ｖ特性法对该结构的双势垒进行了实验验证。给出了背结的接触电势差，同时发现这种结构用作光电......
本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积......
